麗水市長江存儲推出128層QLC閃存 單顆容量達1.33Tb
- 2020-04-13
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- 新建區嘉傾百貨店
今日,長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
4月13日,長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號: X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存(對比范圍為截至2020年4月13日,全球已公開發布的3D NAND Flash存儲芯片),長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC規格閃存芯片(型號:X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。
得益于Xtacking 架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優化,長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現,上市之后廣受好評。在長江存儲128層系列產品中,Xtacking已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率,為當前業界最高。
作為閃存行業的新人,長江存儲通過對技術創新的持續投入,用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量,長江存儲通過X2-6070再次向業界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度,并確立了在存儲行業的技術創新領導力。
(文中圖片來自網絡)